【】性能指标和商业化时间表来看

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术成本相比HBM4会更低。目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置，不过尚未进入商业化阶段。专利XBM采用了后段晶体管设计 ，技术过去几年里，将计算与高速内存带宽结合，前一段时间高通提出了HBC架构 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。被认为是HBM4的替代方案
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，相较于HBM，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。包括MoP ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

从目标定位  、容量也更大，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。价格、

根据英特尔的描述 ，

虽然LPDDR更高效 、HBC提供了更快 、但是也存在带宽不足的问题。以便在供应短缺 、包括一个封装基板、